지식참고자료

[글쓴이:] dev@agentsoft.co.kr

  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서5

    목차

    1. 목적
    2. 준비물 및 유의사항
    3. 설계실습 계획서

    본문내용

    1. 목적
    BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가한다.

    2. 준비물 및 유의사항
    Function Generator 1대
    Oscilloscope(2 channel) 1대
    DC power supply(2 channel) 1대
    BJT : 2N3904 4개
    LED : BL-B4531 2개
    MOSFET : 2N7000 2개
    Resistor 100kΩ 5% 1/4W : 1개
    가변저항 50kΩ 1/4 W : 4개
    가번저항 1kΩ 1/4W : 4개

    3. 설계실습 계획서
    아래 회로와 같이 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(VF=2V, IF = 20mA) LED를 구동하는 회로를 설계하려한다. 구동신호(V_in)는 1Hz, 5Vdc의 square pulse(duty = 50%)이다.

    <이하 썸네일을 참조해주세요>

    출처 : 해피캠퍼스

  • 간호관리학 리더십 이론 (특성이론,행동이론,상황이론,현대이론)

    목차

    Ⅰ. 서론

    Ⅱ. 본론
    1. 특성이론
    2. 행동이론
    3. 상황이론
    4. 현대이론

    Ⅲ. 결론

    Ⅳ. 참고문헌

    본문내용

    Ⅰ. 서론
    현대사회에서 조직은 특수한 목적을 성취하고자 만들어진 사회적 수단이다. 조직에서 리더십은 조직의 목표를 성취하는 방향 설정에 영향을 미치는 중요한 개념으로 조직관리에서는 물론 개인의 삶에서도 매우 중요하다.
    우선 리더십의 정의에 가장 많이 포함된 단어는 영향력(influence)이다. 영향력은 한 사람의 행위가 다른 사람의 태도, 가치, 신념, 행동에 변화를 일으킨 것을 말한다. 리더십은 전통적으로 리더에게만 속한 것으로 이해되어서 리더십은 리더가 부하직원에게 행사하는 일방적인 것으로 보아왔다. 그러나 현재는 영향력을 리더와 부하직원 모두가 가지고 있는 것으로 보며 이들의 상호관계에 의해 결정되는 사회적, 관계적 개념으로 이해할 수 있다.

    (중략)

    Ⅱ. 본론
    1. 특성이론
    특성이론(Trait theory)은 리더십 연구의 초창기부터 탐구된 가장 오래된 리더십 이론으로 1940년대 중반까지 리더십 연구의 기초가 되었다. 이 이론은 리더의 개인적 자질과 특성이 리더십의 지위와 기능에 영향을 준다고 생각하고 그 특성을 해명하려고 한 이론이다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서4

    목차

    1. 목적
    2. 준비물 및 유의사항
    3. 설계실습 계획서

    본문내용

    1. 목적
    MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.

    2. 준비물 및 유의사항
    DC Power Supply(2channel) : 1대
    Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대
    40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개
    40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개
    Breadboard (빵판) : 1개
    점퍼 와이어 키트 : 1개
    MOSFET : 2N7000 : 1개
    저항 100 Ω 1/2W : 1개

    3. 설계실습 계획서
    3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
    (A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라.

    3.2　MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)
    (A)OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용, Vg와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼 와이어 대신 1kΩ 이하 저항 사용 가능)

    출처 : 해피캠퍼스

  • 휴넷연결회계 과제

    목차

    (1) 유의적인 영향력과 지배력의 차이점에 대해서 기술하시오.
    (2) 취득 이후 2년 경과시점의 연결에서 작성하여야 할 재무제표(주석제외) 및 연결절차 5단계(선행절차 제외)에 대해서 기술하시오.
    (3) 관계기업이 당기순손실을 보고한 경우, 투자기업의 관계기업투자 장부금액과 투자기업의 순자산에 미치는 영향에 대해서 기술하시오.
    (4) 20×1년 초에 A기업은 B기업의 의결권이 있는 발행주식총수의 60%를 현금 400,000원 을 지급하고 취득하고 지배력을 확보하였다. 주식 취득일 현재 B기업의 순자산 장부금액은 500,000원이며, 순자산의 공정가치는 540,000원이다. B기업의 순자산장부금액과 순자산공 정가치의 차액은 모두 건물에서 발생하였다. 건물은 잔존내용연수 5년 잔존가치 없이 정액법 으로 감가상각한다. 별도(개별) 재무제표 20X1년말 A기업의 건물 장부금액은 200,000원이 고, B기업의 건물 장부금액은 60,000원이다. 20X1년말 연결재무상태표 건물의 장부금액은 얼 마인가?

    본문내용

    유의적인 영향력이란, 피투자자의 재무정책과 영업정책에 관한 의사결정에 참여할 수 있는 능 력을 의미하며, 지분율 기준과 실질 영향력 기준에 따라 판단 가능하다. 지분율 기준으로는, 기업이 직접 또는 간접(종속기업을 통해)으로 피투자자에 대한 의결권을 20% 이상을 소유하 고 있는 경우, 유의적인 영향력을 보유하는 것으로 가정할 수 있다. 단, 이때 유의적인 영향력 이 없다는 사실을 명백히 제시할 수 있는 경우는 제외한다. 또한 유의적 영향력 보유를 평가 할 때, 현재 행사할 수 있는 잠재적 의결권의 존재와 영향을 고려해야한다. 실질영향력 기준으로는..

    <중 략>

    출처 : 해피캠퍼스

  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서9

    목차

    1. 목적

    2. 준비물 및 유의사항

    3. 설계실습 계획서
    3.1 Series-Shunt 피드백 회로 설계
    3.2 Series-Series 피드백 회로 설계

    본문내용

    1. 목적
    피드백을 이용한 증폭기의 동작을 이해한다. 입력이 전압이고 출력도 전압인 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기와 입력이 전압이고 출력은 전류인 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험한다.

    2. 준비물 및 유의사항

    Function generator: 1대
    Oscilloscope(2 channel): 1대
    DC power supply(2 channel): 1대
    DMM : 1대
    Mosfet-IRF5305(P-Channel): 1개
    Op Amp – UA741CP: 1개
    LED : BL-B4531 : 1개
    저항(1kΩ) : 4개
    저항(100Ω) : 2개
    가변저항(10kΩ) : 1개

    3. 설계실습 계획서
    3.1 Series-Shunt 피드백 회로 설계

    (A) 그림 1 회로를 simulation하기 위한 PSPICE schematic을 그린다. 전원 전압원은 12V로 고정하고 입력저항 및 부하저항을 1kΩ, 피드백 저항은 V_o/V_s =2가 되도록 R_1, R_2값을 설정하고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그려라.
    V_o/V_s = 2를 만족하기 위해서 A_F = V_o/V_s ≅ 1/β = (R_1+R_2)/R_2 = 2가 되어야 한다. 따라서 이 식을 만족하려면 R_1=R_2가 되어야 한다. 우리는 이것을 각각 1kΩ으로 설정하여 실험을 진행한다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서6

    목차

    1. 목적

    2. 준비물 및 유의사항

    3. 설계실습 계획서
    3.1 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계
    3.2 설계한 Amplifier의 측정 및 특성 분석

    본문내용

    1. 목적
    R_sig= 50Ω, R_L=5kΩ, V_CC=12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 R_in이 kΩ이고 amplifier gain(V_o/V_in)이 -100V/V이며 emitter 저항 사용한 Common Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가한다.

    2. 준비물 및 유의사항

    Function Generator 1대
    Oscilloscope(2 channel) 1대
    DC power supply(2 channel) 1대
    DMM : 1대
    NPN TRANSISTOR
    2N3904 T)-92(Fairchild) 2개
    Resistor 100kΩ 5% 1/4W : 1개
    가변저항 50kΩ 1/4 W : 4개
    가번저항 1kΩ 1/4W : 4개

    3. 설계실습 계획서
    3.1 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계
    *모든 계산 결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.
    위 회로와 같이 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier에서 R_sig=50Ω, R_L=5kΩ, V_CC=12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 R_in이 kΩ 단위이고 amplifier gain(V_o/V_in)이 -100V/V인 증폭기를 설계하려고 한다.

    (A) Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain에 대한 식으로부터 출발하여 부하저항 R_L에 최대전력이 전달되도록 R_C를 결정해라.

    Common Emitter Amp의 Overall Voltage Gain G_v = V_o/V_sig = – R_in/(R_in+R_sig ) g_m (r_o ||R_C || R_L)으로 쓸 수 있다. 문제 조건에서 Early Effect를 무시한다 했으므로, r_o= 0 이고 G_V = (-R_in)/(R_in+R_sig ) g_m (R_C// R_L)으로 다시 쓸 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서8

    목차

    1. 목적

    2. 준비물 및 유의사항

    3. 설계실습 계획서
    1) 단일 Current Mirror 설계
    2) Cascade Current Mirror 설계

    본문내용

    1. 목적
    N-type mosfet을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이요한 전류원의 전기적 특성을 이해한다.

    2. 준비물 및 유의사항
    DC power supply(2 channel) 1대
    DMM : 1대
    Oscilloscope(2 channel) 1대
    40cm 잭-집게 연결선(빨강) : 4개
    40cm 잭-집게 연결선(검정) : 4개
    Breadboard : 1개
    점퍼 와이어 키트 : 1개
    Mosfet : 2N7000 : 4개
    저항(1kΩ, 1/2W) : 4개
    가변저항(1kΩ, 10kΩ, 1/2W) : 2개

    3. 설계실습 계획서
    *모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.
    그림 1의 회로와 같이 Current Source에서 M_1, M_2로는 2N7000(Fairchild)을 이용하여 V_CC = V_DD = 10V 인 경우, I_REF = 10mA인 전류원을 설계한다.
    (A) 2N7000의 data sheet로부터 1/2k_n'(W/L) 값을 구하리. 사용한 수식 및 수치를 자세히 적어서 제출한다. (Gate Threshold Voltage와 On-stage drain current 이용)

    출처 : 해피캠퍼스

  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서3

    목차

    1. 목적
    2. 준비물 및 유의사항
    3. 설계실습 계획서

    본문내용

    1. 목적
    정파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기 (DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다.

    2. 준비물 및 유의사항
    • Function Generator: 1대
    • Oscilloscope(2channel): 1대
    • DC Power Supply(2channel): 1대
    • 1:1 저용량 변압기 (1:1 변압기가 없으면 저용량 변압기 2개, 양쪽 집게 프로브 4개): 1대
    • DMM: 1대
    • Resistor 5kΩ, 20kΩ, 5%, 1/2W: 1개
    • Capacitor: 0.1 μF: 1개
    • Diode: 1N914 또는 KDS160: 4개
    • 점퍼선: 다수
    • Bread Board: 1개

    3. 설계실습 계획서
    (A) 설계: 아래 그림 6-1에서 5kΩ의 부하 (R_L)에 걸리는 직류전압의 최대치 (V_p)가 4.4V이며, ripple (V_r)이 0.9V 이하가 되도록 교류 입력전원의 크기를 결정하고 C의 크기를 설계한다. 이때 diode의 저항은 0.7kΩ으로 가정한다. 이론부와 교과서 (Sedra)를 참조한다. 설계에 사용된 수식, 과정을 상세히 기술한다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)

    목차

    1) 3.1 센서 측정 및 등가회로

    2) 3.2 Op amp를 사용한 Amplifier 설계
    (1) 3.2.1 Inverting Amplifier 설계와 시뮬레이션
    (2) 3.2.2 Inverting Amplifier 측정
    (3) 3.2.3 Non-Inverting Amplifier 설계
    (4) 3.2.4 두 Amplifier의 비교
    (5) 3.2.5 Summing Amplifier

    본문내용

    출력신호가 주파수 2 kHz의 정현파인 어떤 센서의 출력전압을 오실로스코프 (입력 임피던스 = 1 MΩ)로 직접 측정하였더니 peak to peak 전압이 200㎷이었고 센서의 부하로 10 kΩ 저항을 연결한 후 10 kΩ 저항에 걸리는 전압을 역시 오실로스코프로 측정하였더니 peak to peak 전압이 100mV이었다.
    (A) 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 센서의 Thevenin 등가회로를 PSPICE로 그려서 제출한다.

    센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다.

    10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 10k/(10k+Rth)*200mV 의 수식을 사용할 수 있으며 이를 통해 계산된 R_th 값은 10kΩ이 된다. 이를 이용하여 Thevenin 등가회로를 Pspice 프로그램을 이용하여 그리면 위와 같다.
    (B) 센서의 Thevenin 등가회로를 Function generator와 저항으로 구현하려 할 때 Function generator의 출력을 얼마로 설정해야 하는가? Function generator의 출력 저항은 50Ω이며 전면에 표시되는 출력전압은 50Ω의 부하가 연결되었을 때 이 부하에 걸리는 전압을 의미한다.

    센서의 저항은 10kΩ을 가지고 있다. Function generator의 출력 전압은 센서에 걸리는 전압과 분배 식을 사용하여 V * 10k/(10k+50) = 200mV, V = 201mV(Vpp)이라고 구할 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서2

    목차

    1. 목적

    2. 준비물 및 유의사항

    3. 설계실습 계획서
    3.1 Offset Voltage, Slew Rate
    3.2 Integrator

    본문내용

    1. 목적
    OP Amp의 offset 전압과 slew rate를 측정하는 회로, 적분기를 설계, 구현, 측정, 평가한다

    2. 준비물 및 유의사항
    • Function Generator: 1대
    • Oscilloscope(2channel): 1대
    • DC Power Supply(2channel): 1대
    • Op Amp(LM741CN): 3대
    • DMM: 1대
    • Resistor 51Ω, 100Ω, 1kΩ, 10kΩ, 100kΩ,1MΩ, 5%, 1/2 W: 2개
    • Variable Resistor(가변저항) 20kΩ, 1/2 W: 2개
    • 점퍼선: 다수
    • 스위치: 1개
    • Bread Board:1개

    3. 설계실습 계획서
    3.1 Offset Voltage, Slew Rate
    3.1.1 Offset Voltage 개념
    아래의 그림 4.1과 같이 두 입력단자를 모두 접지시키면 입력 단자 간의 전위차가 존재하지 않으므로 이상적인 OP-Amp를 가정할 경우 출력 전압은 0 V가 된다. 그러나 실제 OP-Amp의 경우에는 OP-Amp 내부에 그림 4.2와 같이 Offset voltage가 존재하므로 출력전압은 0 V가 아니며 그 출력전압을 Open loop gain으로 나누면 Offset voltage를 구할 수 있다고 생각된다. 그러나 실제로는 이런 방법을 사용할 수 없다. 그 이유가 무엇인지 기술한다.

    그림 4-1 OP-Amp의 양 입력단자를 접지시킨 Open-Loop 회로

    실험에서 진행하는 741 Op amp의 datasheet를 보면 open loop gain 값은 typ 200이라고 하였다. 이는 매우 작은 입력 전압에 대해서도 공급전압 15V에 대해 매우 큰 값으로 saturation 영역에서 동작할 것이다. 따라서 정확한 값을 얻을 수 없을 것이라고 판단된다.

    출처 : 해피캠퍼스