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  • 실험15_전자회로실험_예비보고서_다단 증폭기

    목차

    1. 제목

    2. 실험 절차

    3. 실험에 대한 이론
    1) 예비보고사항
    2) 실험에 대한 pspice 회로도 및 시뮬레이션 결과

    본문내용

    1. 제목
    – 다단 증폭기

    2. 실험 절차
    <2단 증폭기>
    – 실험회로 1에서 V_DD=12V, V_SIG = 0V, R_D1=10kΩ, R_S1=R_S2=5kΩ, R_1=R_3=100kΩ, R_2=R_4=50kΩ, R_L=10kΩ 으로 고정하고, 회로를 구성한 후, 공통 소오스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 R_D2값을 결정한다. 이 경우 M_1,M_2의 각 단자들의 전압(V_D1,V_G1,V_S1,V_D2,V_G2,V_S2) 및 전류(I_D1,I_D2)를 구하고, 표에 기록하시오. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.
    – 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M_1,M_2의 트랜스 컨덕턴스 g_m값, 출력 저항 r_0를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 구하시오.
    – 전압 이득이 최소 100V/V이상 나오는지 보기 위해 입력에 10kHz의 0.01V_(P-P) 정현파의 입력 전압을 인가한다. 이때 실험회로 1의 2단 증폭기의 입력-출력 전압의 크기를 표에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 v_SIG, 첫 번째 단의 입력 전압, 첫 번째 단의 출력 전압, 두 번째 단의 출력 전압의 파형을 캡처하여 결과 보고서에 기록하시오.
    – 실험회로 1의 입력 저항과 출력 저항을 직접 측정하여 표에 기록하시오. 입력 저항을 측정하기 위해 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. 출력 저항을 측정하기 위해 입력에 0V를 인가하고, 출력 쪽에 DC 전압을 변화시키면서 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.
    – R_L을 10Ω으로 바꾼 후에 실험 절차 1~4를 수행하고, 기록하시오. 또, R_L이 10kΩ인 경우와 결과를 비교하시오.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 조선왕조실록과 의궤

    목차

    없음

    본문내용

    오대산 사고는 강원도 평창군 진부면 동산리에 위치한 조선 후기 5대 사고 중 하나이다. 1909년 작성된 『형지안(形止案)』에 의하면 이곳에는 태조~철종까지의 실록 788책, 의궤 380책, 기타 서적 2,469책 등 모두 3,637책이 수장되어 있었다고 한다. 서책은 모두 목재궤에 넣어 봉안해 두었는데, 실록궤 82개, 서책궤 86개, 공궤 7개였다. 이곳에 수장되어 있던 『조선왕조실록』과 조선왕실의궤는 300여 년 동안 안전하게 지켜졌지만, 일제강점기 때 조선총독부가 일본 동경대와 궁내청으로 무단 반출하면서 강원도 땅을 떠났다. 오대산본 실록과 의궤가 세인들의 관심을 끌게 된 것은 혜문스님이 오대산본 실록이 약탈되었다고 인식한 것이 계기가 되어 2006년과 2011년 두 차례에 걸쳐 환수되면서이다. 그가 이를 인식한 계기는 일본 유학 중 한국사 관련 서적을 열람하던 중 오대산본 실록 47책이 동경대 도서관 귀중서고에 소장되어 있다는 것을 알게 되었다고 한다. 이러한 사실을 확인한 그는 관련 자료를 수집하였고, 월정사 성보박물관에 소장되어 있는 『오대산 서적』에서 총독부 관원 등이 월정사에 머무르며 사고와 사책 150점을 주문진으로 운반하여 동경대학으로 반출한 사실을 확인하였다. 이후 그가 중심이 되어 오대산본 실록 47책을 반환받고자 ‘실록 환수위’ 출범과 동시에 일본 총리에게 반환요청서를 전달하였다. 이를 받아들여 오대산본 실록이 반환되었고, 이것이 시발점이 되어 ‘실록 환수위’를 주축으로 한 ‘의궤 환수위’의 활동으로 의궤 등 1250권의 도서를 반환받을 수 있었다. 이러한 노력으로 2006년부터 오대산본 실록과 의궤에 대한 연구가 원할하게 진행되어 많은 연구가 축적되어 올 수 있었다.

    ‘실록’이란 역사적인 사실을 있는 그대로 공평하게 쓴다는 뜻이다. 그러나 남북조 시대부터 한 왕이 죽은 뒤에 다음 왕대에서 선대의 있었던 일을 년·월·일 별로 기록하는 형식의 사서가 편찬되기 시작하였다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 실험14_전자회로실험_결과보고서_캐스코드 증폭기

    목차

    1. 제목
    2. 실험결과
    3. 검토 및 평가- 고찰사항

    본문내용

    제목
    – 캐스코드 증폭기
    실험 결과
    – 회로 사진 및 결과 사진
    -> 책과 달리 변경된 실험 과정은 다음과 같다
    R_gg를 사용하지않고 책의 R_D 변화 대신 V_G의 변화에 대하여 측정후, 나머지 값은 정상측정
    3V~9V까지 1V간격으로 변화를 측정하고 0V,12V를 측정하였다.
    세번째 과정 실험은 진행하지 않았다.
    V_(P-P)=20mV로 설정한 후 파형을 측정한다.
    다섯번째 과정은 진행하지 않는다.
    V_D2가 8V가 되게 만들기 위해 V_X를 조정한 값을 찾는다.
    V_(P-P)=20mV로 설정한 후 파형을 측정한다.
    입출력 임피던스를 측정한다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 실험14_전자회로실험_예비보고서_캐스코드 증폭기

    목차

    1.제목
    2.실험절차
    3.실험에 대한이론-예비보고사항

    본문내용

    1. 제목
    – 캐스코드 증폭기
    2. 실험 절차
    <캐스코드 증폭기>
    실험회로 1에서 V_DD 값을 12V, V_sig값을 0V, V_GG값을 6V, V_GG 값을 2V로 두고, V_b1 값을 4V로 두고 R_GG 저항 값이 2kΩ인 경우 v_0의 DC 값이 5V가 되도록 하는 R_D 값을 결정한다. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(V_D1,V_G1,V_S1,V_D1,V_G1 〖,V〗_S2) 및 전류(I_D)를 구하고, 표에 기록한다. 각 단자들의 전압을 바탕으로 M_1, M_2 포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오.
    V_sig값을 0V, V_GG 전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mv 간격으로 변화시키면서 v_O 의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오.
    포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M_1, M_2,의 트랜스 컨덕턴스 g_m값, 출력 저항 r_0를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 캐스코드 증폭기 회로의 이론적인 전압 이득을 구하시오.
    전압 이득이 40V/V 이상 나오는지 보기 위해 입력에 10kHz의 0.01V_(P-P) 정현파의 입력 전압을 인가한다. 이때 캐스코드 증폭의 입력 – 출력 전압의 크기를 표에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 V_sig, 입력전압, 출력 전압 파형을 캡처하여 기록하라.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 실험13_전자회로실험_예비보고서_공통 게이트 증폭기

    목차

    1.제목
    2.실험절차
    3.실험에 대한이론-예비보고사항

    본문내용

    1. 제목
    – 공통 게이트 증폭기
    2. 실험 절차
    <공통 게이트 증폭기>
    실험회로 1에서 V_DD 값을 12V, V_sig값을 0V, V_GG값을 6V, V_ss값을 4V로 두고, R_S 저항 값이 2kΩ인 경우 v_0의 DC 값이 6V가 되도록 하는 R_D 값을 결정한다. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(V_D,V_G,V_S) 및 전류(I_D)를 구하고, 표에 기록한다. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오.
    V_sig값을 0V, V_ss 전압을 0V, 12v, 3V~9V는 500mv 간격으로 변화시키면서 v_O 의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오.
    포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 g_m값, 출력 저항 r_0를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 공통 게이트 증폭기 회로의 이론적인 전압 이득을 구하시오.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 미국의 총기문화

    목차

    없음

    본문내용

    총기로 인한 사고
    총기는 상해를 입힐 수 있는 무기로 민간인의 총기 사용이 합법인 미국은 총기로 인한 사고가 빈번하게 일어나고 있다. 2020년 기준, 총격에 의한 사망자 수 19380명으로 대략 30분에 한번꼴로 총기로 인한 살인사건이 일어났다는 것이다. 그 이유로는 범죄조직과의 연관, 개인적인 원한관계, 우발적인 범행 등등 다양하게 있으나, 최근에는 계획적이고 반사회적인 무차별 총기난사 사건이 빈번해지고 총기로 인한 사망자 또한 계속해서 증가하고 있어, 사회적인 문제로 여겨지고 있다.

    각국의 총기문화
    민간인의 총기 소유가 허용된 나라는 미국 뿐만이 아니다. 스위스의 경우에는 병역의무가 있는 남성은 의무적으로 가정에 총기를 보관할 수 있으며, 캐나다는 18세 이상이면 총기 소유를 신청할 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 그리스의 비극과 비극의 영웅 오이디푸스

    목차

    없음

    본문내용

    그리스의 비극의 출현
    대지의 풍요를 관장하는 신 디오니소스가 한 해의 풍년과 포도나무 수확이 풍성하도록 복을 불어넣었다. 이에 사람들은 이 의식에서 선창하는 사람을 뒤따르며 노래를 부르며 춤을 추었다. 이와 같은 형태로 시와 디오니소스 제례가 결합한 형태로 이루어진 것이 비극의 기원이 되었다. 아테네에서는 디오니소스 축제를 해마다 4차례 개최하였고, 축제의 첫 번째 날에는 황소를 잡아, 제물로 바치고 창작 경연대회가 열렸다. 이는 종교행사임과 동시에 국가적 행사이기도 하였다.
    비극의 형식은 기원전 6세기경 활동한 것으로 추정되는 테스피스라는 인물에 의해 형성되었다. 그는 합창단과 배우 한 명이 가면을 쓰고 말을 주고받는 식으로 연출하고 배우가 역할을 바꿀 때마다 가면을 바꾸게 하였다. 이것이 비극의 기본 형식으로 자리 잡았다. 비극은 주로 인생의 무상함을 주제로 숙연하며 절제되게 표현되었다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 실험12_전자회로실험_예비보고서_소오스팔로워

    목차

    1. 제목
    2. 실험절차
    3. 실험에 대한 이론

    본문내용

    1. 제목
    – 소오스 팔로워

    2. 실험 절차
    <소오스 팔로워>
    1.실험회로 1에서 VoD 값을 12V, V 값을 OV, Voc 값을 6V로 두고, Roo저항값이 252인 경우 V0의 DC 값이 4V가 되도록 하는 Rs 값을 결정한다. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(Yo, Vo, Vs) 및 전류(1p)를 구하고, 표에 기록한다. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 2.포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오.
    2.Vsig값을 OV, VoG 전압을 oV, 12v, 3V~gV는 500mv 간격으로 변화시키면서 Vo 의 DC 전압을 측정하여 [표 12-21에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오
    3.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 gm값, 출력 저항 r0를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 소오스팔로워 회로의 이론적인 전압 이득을 구하시오.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 실험12_전자회로실험_결과보고서_소오스팔로워

    목차

    1. 제목
    2. 실험결과
    3. 검토 및 평가

    본문내용

    1. 제목
    – 소오스 팔로워

    2. 실험 결과
    – 회로 사진 및 결과 사진
    1.공통 소오스 증폭기 회로
    이번 실험에서는 실험과정에서 이상과 현실이 다른 점과 장비의 한계 등을 이유로 책의 실험 절차와 다른 실험 과정으로 진행되었다.
    1.RS, RL=1.8kΩ 으로 제시 되었고, 해당 회로에서 VD, VG, VS, ID를 측정한다.
    2.VGG가 6~9V까지 500mV 씩 증가시키면서 vO를 측정한다.
    3.3번과정은 생략되었다.
    4.전압 이득이 1에 가깝게 나오는지 오실로스코프로 입출력 파형을 측정하여 찾는다.
    5.AC전압을 인가하며 입출력 임피던스를 구한다.

    * RS, RL=1.8kΩ일 때, VD, VG, VS, ID값은 위와 같다.

    * VGG가 6~9V까지 500mV vO는 인가 전압보다 약간 낮게 나왔다. 대략 0.8V정도 차이가 난다.

    이는 드레인 전압이 충분할 때 게이트 전압이 대략 (인가 전압- 0.8V)= 출력 전압으로 위와 같은 그래프가 형성된다. 이를 레벨 시프터라고 하며, 소오스 팔로워의 특징 중 하나이다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 실험11_전자회로실험_결과보고서_공통소오스증폭기

    목차

    1. 제목
    2. 실험결과
    3. 검토 및 평가

    본문내용

    제목
    – 공통 소오스 증폭기

    1. 실험 결과
    – 회로 사진 및 결과 사진
    1.공통 소오스 증폭기 회로
    이번 실험에서는 실험과정에서 이상과 현실이 다른 점과 장비의 한계 등을 이유로 책의 실험 절차와 다른 실험 과정으로 진행되었다.
    1.R에 걸리는 전압 vO이 5.5V가 되도록 하는 VGG를 찾는다
    2.VGG가 0~2.5V까지 500mV 씩 증가시키면서 vO를 측정한다.
    3.AC전압을 인가하여 VG의 파형과 vO의 파형을 측정하여 전압이득을 계산한다.
    4.AC전압을 인가하며 입출력 임피던스를 구한다(입력은 전류가 미세하기에 출력만 구한다.)

    측정 결과, 1.335V를 인가 하였을 때 출력 전압이 5.5V를 측정할 수 있었다.

    약 10.6배의 전압이득이 발생하였다.
    입력의 전류는 아주 미세한 수준에 불과하여 멀티미터 상으로는 측정이 어려워 출력의 전류만 측정하기로 하였다.
    하지만 AC전압을 0.02V로 인가하였을 때에는 출력의 전류 측정도 어려워 AC전압의 크기를 1V로 증가시켜서 전류를 측정하였고, 이 때의 전류가 250μA 이다.

    출처 : 해피캠퍼스