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  • A++ 노인 통증 문헌고찰 완벽 정리!!

    목차

    Ⅰ. 노인의 통증 특성
    Ⅱ. 노인의 통증관리

    본문내용

    Ⅰ. 노인의 통증 특성
    – 통증은 노인의 가장 흔한 주호소로, 노인은 특히 통증 발생 가능성이 높은 취약한 환경에 놓여 있음
    – 노인에서 급성통증은 질환이나 외상 등으로 발생할 수 있고,
    만성 통증은 골관절염, 류마티스관절염, 만성 요통, 근육통 및 류마티스성 질환이나 암으로 인해 발생할 수 있음
    – 특히, 골관절염, 당뇨병성 신경증, 대상포진 후 신경통, 척추증과 신경근병증으로 인한 요통은 노인에게 통증을 유발하는 주된 원인들이다.
    – 요양시설에 거주하는 인지장애 노인에서 발생하는 지속적 통증은 간호사가 주목해야 할 주요 문제이다.
    – 지속적 통증으로 인해 수면장애, 외로움, 우울증, 사회적 고립 등이 나타날 수 있고 가족, 조직 내 사회적 역할 수행능력을 감소시키며 신체활동을 제한하여 노인의 신체적 상태를 악화시키고 인지장애와 관련된 기능적 결과의 위험을 증가시킨다.
    – 노인 인구의 25~50%가 지속적인 통증을 겪고 있고 요양시설 거주 노인의 약 65%는 이러한 통증을 제대로 치료조차 받지 못하고 있는 상태이다.
    – 간호사는 노인의 통증 특성을 철저히 사정하여 관련 통증에 적절한 간호중재를 적용함으로써 노인의 삶의 질 향상에 기여할 수 있어야 한다.

    1. 통증의 정의 및 발생 기전
    – 통증은 침해성 통증과 신경병성 통증으로 구분한다.
    – 침해성 통증 : 조직손상에 의해 정상적인 신경계가 자극되어 나타나는 일종의 경고성 통증으로 주로 피부, 근육, 뼈, 관절, 다른 연결된 조직의 외상 또는 퇴행성 질환과 관련이 있다.
    – 신경병성 통증 : 생리적 신경계의 기능장애로 나타나는 통증으로 주로 중추나 말초신경계의 손상으로 인해 발생한다.
    – 여기에 더해 최근에는 통증전달과정에서 일어난 통증 증폭 및 전달과 통증억제 경로에서 기능적 변화로 인해 나타나는 기능적 통증(ex:섬유근통)이 추가되었다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 변혁적 리더십 이론을 기반으로 실무적 적용에 관해 생각해 보시오

    목차

    Ⅰ 서론

    Ⅱ 본론
    1. 변혁적 리더십의 개념
    2. 변혁적 리더십을 발휘하고 있는 사람이 있는지와 그 이유

    Ⅲ 결론

    Ⅳ 참고문헌

    본문내용

    Ⅰ 서론
    외국의 학자들은 변혁적 리더십을 어떻게 정의했을까. 어떤 사람은 변혁적 리더십을 리더와 조직구성원이 서로 보다 높은 수준의 사기 진작과 동기를 일으키는 과정으로 보았으며, 다른 사람은 조직구성원들이 리더를 신뢰, 충성, 존경하면서 동시에 애초에 기대 이상의 노력을 하도록 만드는 과정으로 정의하였다. 즉 변혁적 리더는 조직구성원들이 과업수행 결과에 대한 중요성을 인식하고 조직구성원 자신의 개인적 이익보다는 조직의 이익을 우선시하며 조직구성원이 갖고 있는 욕구보다 더 높은 욕구 수준을 충족할 수 있도록 한다.

    <중 략>

    Ⅱ 본론
    1. 변혁적 리더십의 개념
    변혁적 리더십 이론은 급변하는 기업환경 속에서 조직의 생존과 경쟁의 강화를 위해 조직의 변화를 유발할 수 있는 리더의 능력에 초점을 두고, 변화와 혁신을 이끌어 나갈 수 있는 리더의 상과 리더가 변화를 어떻게 시작하고 전개해야 하는지에 대한 방안을 제시하고 있다. 변혁적 리더십의 특징으로는 리더는 추종자에 대한 비전과 사명감, 그리고 자부심을 심어줌으로써 추종자로부터 존경과 신의를 받고 추종자들에게 높은 수준의 기대감을 심어주고, 추종자의 노력을 집중시키기 위해 상징기법을 사용하며, 중요한 목적을 단순한 방법을 표현한다. 또한 리더는 추종자들의 지성, 합리성, 그리고 신중한 문제해결을 촉진시킨다. 변혁적 리더십은 4가지 구성요소를 가지는데 그 구체적인 내용은 다음과 같다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 [실험 17]에서 구현한 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성에 대해 실현함으로써 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스들로 인해서 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 어느 주파수 대역까지 증폭기의 전압 이득이 유지되는지의 척도인 대역폭을 알아야 원하는 응용 범위에 사용할 수 있다. 그리고 증폭기의 전류나 면적이 제한되어 있을 때 증폭기 전압 이득과 대역폭의 곱은 일정한 관계가 성립하는데, 실험을 통해서 이러한 관계를 이해하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2n7000(NMOS)1개, 저항, 커패시터, FQP17P10(PMOS) 2개 (단, PSpice 모의실험은 FDC6322CP 사용)

    3 배경 이론
    [그림 18-1]은 [실험 17]에서 실험한 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 회로이다. 과 모두 포화 영역에서 동작을 해야 증폭기로서 사용할 수 있고, DM 출력 저항 가 부하의 역할을 하게 된다([그림 17-2] 참조).

    [그림 18-1] 회로의 저주파 대역에서의 전압 이득은 로 표현할 수 있다([그림 17-3] 참조).

    MOSFET의 고주파 대역에서의 소신호 등가회로는 [그림 18-2]와 같이 나타낼 수 있다. 게이트와 소오스 사이, 게이트와 드레인 사이에 각각 , 커패시턴스가 존재함을 알 수 있다.

    [그림 18-3]은 [그림 18-2]에 나타낸 MOSFET의 고주파 모델을 적용한 공통 소오스 증폭기의 소신호 등가회로이다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 16장 전류원 및 전류 거울 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 아날로그 증폭기에서 부하로써 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터, FQP17P10(PMOS)

    3 배경 이론
    MOSFET의 특성 구하기
    MOSFET은 이므로 와 를 알아야
    전압에 따른 전류를 구할 수 있다.
    먼저 를 구하기 위해서 [그림 16-11과 같이 회로를 구성한 후, 을 OV 부터 까지 변화시키면서 전류를 구한다.

    [그림 16-1]과 같이 회로를 구성하여 전류를 측정하면, 전류가 흐르기 시작하는 전압을 라고 할 수 있다. 를 구한 후에, [그림 16-21의 회로와 같이 를 에 두고 전류를 측정하면 를 구할 수 있다.

    전류원 능동 부하
    공통 소오스 증폭기는 입력 전압에 비례하는 소신호 전류가 흐르고, 이 전류가 부하 저항에 의해서 출력 전압으로 변환되는 구조이다. 공통 소오스 증폭기의 부하로 여러 가지 토폴로지가 사용될 수 있는데, 흔히 저항, 다이오드를 연결한 트랜지스터, 트라 이오드 영역에서 동작하는 트랜지스터, 전류원으로 동작하는 트랜지스터 등이 사용된 다. 저항 대신 트랜지스터를 사용하는 부하를 능동 부하라고도 부르는데, 그 중에서도 전류원으로 동작하는 트랜지스터가 가장 큰 출력 저항을 얻을 수 있으므로 가장 많이 사용되고 있다.

    [그림 16-31]은 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 개념도이다. 전류원 부하 1의 출력 저항 10가 부하의 역할을 한다.

    [그림 16-4)는 전류원 부하를 PMOS 트랜지스터 M2를 이용하여 구현한 공통 소오스 증폭기 회로이다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -[실험 11], [실험 12], [실험 13]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 단일단 증폭기들에 대해 살펴보았다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    [그림 15-1]은 다단 증폭기의 개념을 보여준다. 전압원 가 인가되면, 증폭기 1은 이 입력으로 받아서 증폭을 한 후 를 생성한다. 증폭기 2에서는 를 입력으로 받아서 출력을 생성한다.

    [그림 15-2]는 다단 증폭기의 등가회로이다. 증폭기 1의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항을 각각 , , 으로 정의하고, 증폭기 2의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항을 각각 , , 로 정의하였다.

    신호원 부터 출력 까지의 전압 이득을 식 (15.1)과 같이 계산할 수 있다.
    (15.1)
    식 (15.1)로부터, 신호원 가 증폭기 1의 입력 에 인가될 때는 와 에 의해서 전압분배됨을 알 수 있다. 전압 이득이 증가되기 위해서는 이 에 비해 그 값이 커야 한다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 14장 캐스코드 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다.

    2 실험 기자재 및 부품-
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    [그림 14-1]과 같이 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기와 공통 게이트 증폭기로 구성된다. 입력()은 의 게이트-소오스 전압()이고, 출력()은 의 드레인 전압()이다. 의 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압()에 비레하는 전류()가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 에 의해서 전압으로 변환되면서 증폭을 하게 된다.

    캐스코드 증폭기는 주로 전압 이득을 높이기 위해서 사용되는데, 전압 이득을 구하기 위해 먼저 [그림 14-2]와 같은 일반적인 증폭기의 등가회로를 이용할 수 있다. 입력 전압()에 비례하는 전류 이 흐르고, 이 전류가 출력 저항 에 의해 출력 전압으로 변환되므로, 전압 이득()은 식 (14.1)과 같이 구할 수 있다.
    (14.1)
    식 (14.1)에서 은 유효 트랜스컨덕턴스effective transconductance이고, [그림 14-3]과 같이 출력을 접지시켰을 때 증폭기 출력 전류와 입력 전압의 비로 정의된다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -[실험 11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품-
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    공통 게이트 증폭기는 [그림 13-11과 같이 입력은 소오스 단자에 인가하고, 출력은 드레인 단 자에서 감지하고, 게이트 단자는 공통인 구조를 취하고 있다.

    [그림 13-2(a)]와 같은 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 [그림 13-2(b)]와 같은 소 신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있다.

    공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 식 (13.1)의 형태로 표현할 수 있으며, 크기는 소 오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다.
    (13.1)
    공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 [그림 13-3)과 같이 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있다.

    채널길이 변조 효과를 무시하면, 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 식 (13.2)와 같이 구할 수 있으며, 공통 소오스 증폭기에 비해서 매우 작음을 알 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -[실험 11]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기를 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중의 하나인 소오스 팔로워에 대한 실험이다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품-
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    [그림 12-11]과 같이 소오스 팔로워 회로에서 입력은 게이트 단자에 인가되고, 출력은 소오스 단자에서 감지된다. 드레인 단자가 공통이므로, 공용 드레인 증폭기라고 할 수 있다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 소오스 팔로워’라는 용어를 더 많이 사용한다. 또한, 출력 신호의 DC 레벨이 입력 신호의 DC 레벨에서 Vas만큼 떨어진 전압이 나오기 때문에, 레벨 시프터로서도 동작할 수 있다.
    [그림 12-2]는 저항 부하가 있는 소오스 팔로워의 전압 이득을 구하기 위한 소신호 등가회로다.

    [그림 12-2]는 저항 부하가 있는 소오스 팔로워의 전압 이득을 구하기 위한 소신호 등가회로이다.

    식 (12.1)과 같이 소오스 팔로워의 전압 이득은 양의 값을 가지고, 그 값은 1에 가까움을 알 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    -DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    [그림 11-1]과 같은 기본적인 공통 소오스 증폭기에서 입력()은 게이트-소오스 전압()이고, 출력()은 드레인-소오스 전압()이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다.

    [그림 11-2]는 공통 소오스 증폭기의 전압 전달 특성을 나타낸다. 출력 전압은 식(11.1)과 같이 표현할 수 있으며, 전압에 따라서 MOSFET의 동작 영역을 크게 세가지로 나눌 수 있다.

    (11.1)

    ① 차단 영역 : 전압이 X와 A점 사이일 경우에는 MOSFET이 차단 영역에서 동작하며, 드레인 전류가 흐르지 않는다().
    ② 포화 영역 : 전압이 A와 B점 사이일 경우에는 MOSFET이 포화 영역에서 동작하며, 드레인 전류 및 출력 전압은 식 (11.2), 식 (11.3)과 같이 표현할 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 공무국외출장 결과보고서(CES,라스베가스,2023.1.3~1.10)

    목차

    Ⅰ. 출장개요
    Ⅱ. 주요 방문일정
    Ⅲ. 활동내용
    IV. 총평 및 시사점

    본문내용

    Ⅰ. 출장개요
    1. 방문목적
    1) 미국 소비자 기술협회(CTA)가 주관하는 2023 CES(국제전자제품박람회)에서 세계적 혁신기술 및 제품, 글로벌 시장 동향을 파악하여 OOO기업 및 OOO기업 등과 공유 하고자 함
    2) 현지 참여기업, 관계기관과의 미팅을 통한 본원 소개 및 벤치마킹 사례 등 관련 정보를 수집하고 협력관계 구축

    2. 관련근거
    1) ‘혁신기술 및 글로벌 시장동향 파악을 위한 공무국외여행 계획(안)’

    3. 방문기간: 2023.1.3.(화) ~ 2023.1.10.(화) (6박 8일)

    4. 방문국(방문기관): 미국(CES; Consumer Technology Association 행사장* 일원)
    *행사장: Las Vegas Convention and World Trade Center, Venetian Expo

    <중략>

    Ⅲ. 활동내용
    □ CES 2023 Overview
    ○ CES(Consumer Electronics Show) 소개
    – 1967년 개최이래 매년 1월 네바다 라스베가스에서 개최되는 일반 대중에게 공개되지 않는 세계 최대의 전자제품 박람회
    – 독일 IFA, 스페인 MWC와 더불어 ‘세계 3대 IT 전시회’
    – 우수한 스타트업부터 Microsoft, Intel, Sony 등 IT 업계를 대표하는 기업들이 함께하며 최신의 기술 프리뷰가 쏟아져 첨단 IT 기술의 동향을 한눈에 볼 수 있는 최고의 기회를 제공함
    – 팬데믹 발생 이후 최대 규모로 진행(코로나 이전 대비 규모70~80% 회복 수준)
    · 전시장 18.6만m2, 전세계 174국, 2,400개 기업 참가, 방문객 12만명
    · Fortune Global 500대기업 중 323개 기업 참여, 국내 주요기업으로는 삼성, SK, LG, 롯데, 현대중공업 그룹 등 참여

    출처 : 해피캠퍼스