목차
1. 실험 회로도
2. 실험 장비 및 부품
3. 실험 결과
4. 결론
본문내용
2. 실험 결과
1) 실험 1-a
[그림 5]와 같이 NMOSFET의 특성 실험에서 그래프 개형은 시뮬레이션상에서 exponential function 형태의 개형으로 나타났다. 이를 실험값과 함께 비교했을 때 시뮬레이션과 거의 일치하는 정도의 값들로 exponential function 형태로 나온 것으로 보아 매우 성공적인 실험임을 알 수 있다.
2) 실험 1-b
[그림 6]과 같이 PMOSFET의 특성 실험에서 그래프 개형은 시뮬레이션상에서 일차함수 형태의 개형으로 나타났다. 이를 실험값과 함께 비교했을 때 실험값은 [그림 4]와 같이 exponential function 형태의 개형으로 나와 시뮬레이션 결과와 매우 다른 개형을 보였다.
출처 : 해피캠퍼스
목차
[1] 실험 목적
[2] 실험 이론
[3] 실험 소자 특성
[4] 실험 방법
[5] 시뮬레이션 결과
[6] 확인 질문
본문내용
[1] 실험 목적
– BJT 소자의 특성을 이해하고, 이를 실험적으로 확인해본다.
– BJT 소자의 를 실험적으로 측정해본다.
[2] 실험 이론
(1) Early Effect (Base width modulation)
BJT의 C-B 접합에서 Reverse bias의 크기가 증가함에 따라 C-B Depletion region width가 증가한다. 이는 Base 영역의 폭 가 감소하는 효과를 발생시킨다. 의 변화에 따라 Current gain 가 변화하고, 결과적으로 Collector 전류를 증가시킨다. C-B 접합의 Reverse bias 크기의 변화로 인해 Collector 전류가 변화하는 것은 B-E 접합의 Forward bias로 Collector 전류를 제어하는 트랜지스터의 이상적인 경우에서 벗어나게 한다. 원래의 Base 영역의 끝에서부터 변화된 Base 영역의 끝까지의 길이를 라 하면,
이다. 따라서 변화된 Base 폭 ′ 는 ′ 로 구해지고, 이를 이용하여 Gain 값을 다시 구해주면 된다.
이에 대한 Early voltage 는 다음과 같이 정의한다.
출처 : 해피캠퍼스
목차
1. 실험 회로도
2. 실험 장비 및 부품
3. 실험 결과
4. 결론
본문내용
2. 실험 결과
(1) BJT의 특성 실험
[그림 15] NPN BJT에서의 에 대한 의 실험값과 시뮬레이션 값
[그림 11]과 같이 NPN BJT의 특성 실험에서 그래프 개형은 시뮬레이션상에서 exponential function 형태의 개형으로 나타났다. 이를 실험값과 함께 비교했을 때 [그림 15]과 시뮬레이션과 거의 일치하는 정도의 값들로 exponential function 형태로 나온 것으로 보아 매우 성공적인 실험임을 알 수 있다.
[그림 16] PNP BJT에서의 에 대한 의 실험값과 시뮬레이션 값
[그림 14]과 같이 PNP BJT의 특성 실험에서 그래프 개형은 시뮬레이션상에서 exponential function 형태의 개형으로 나타났다. 이를 실험값과 함께 비교했을 때 [그림 16]과 시뮬레이션과 거의 일치하는 정도의 값들로 exponential function 형태로 나온 것으로 보아 매우 성공적인 실험임을 알 수 있다.
출처 : 해피캠퍼스
목차
[1] 실험 목적
[2] 실험 이론
[3] 실험 소자 특성
[4] 실험 방법
[5] 시뮬레이션 결과
[6] 확인 질문
본문내용
[1] 실험 목적
– BJT 소자의 구조 및 동작 원리를 이해한다.
– BJT 소자의 특성을 이해하고, 이를 실험적으로 확인해본다.
– 의 크기에 따라 BJT의 Beta( ; forward transfer characteristic)이 달라짐을 확인한다.
[2] 실험 이론
(1) Transistors
Active device인 Transistor의 종류로는 BJT와 MOSFET 등이 있다. Transistor는 증폭기를 구성하는 중요한 요소가 되는데, 이는 인가한 전압에 따라 출력 전류가 달라지는 소자의 특성으로 인해 전압 종속 전류원으로 동작할 수 있기 때문이다. 이 동작 특성을 이용하여 부하 연결에 따라 여러 가지 활용할 수 있다.
(2) BJTs
BJT는 3개의 불순물 영역으로 구성되어 있는데, 각 영역을 Emitter, Base, Collector라 명한다. 각 부분을 N-P-N으로 구성된 트랜지스터를 NPN 트랜지스터라 부르며, P-N-P로 구성된 트랜지스터를 PNP 트랜지스터라 부른다. BJT의 회로 기호와 각 명칭은 [그림 1]과 같다.
[그림 1] BJT 회로 소자 명칭 (왼쪽) PNP, (오른쪽) NPN
Emitter-Base P-N 접합은 순방향으로 바이어스되고, Base- Collector 접합은 역방향으로 바이어스된다. BJT의 Emitter-Base는 Diode와 유사하게 동작하는데, Diode가 Turn On/Off 두 가지로 동작 영역이 나뉘는 것에 비해 BJT 동작 영역은 Cut-Off/Active/Saturation 세 가지로 동작 영역이 나뉜다. 가 되면 Cut-Off 영역에서 벗어나 Collector-Emitter로 전류가 흐를 수 있게 된다. 에 따라 보다 큰 경우는 Active 영역에서 동작하여 Current source의 역할을 하게 되며, 보다 작은 경우에는 Saturation 영역에서 동작하여 Voltage source와 유사하게 동작한다.
출처 : 해피캠퍼스