중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정

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4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)

$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정
(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, R_G=1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 V_GS=0V, V_DS=5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다.
실제 실험사진
구현회로
(B) V_GS를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 V_DS를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이 되면 측정을 중지한다. (낮은 전압부터 올리면서 측정한다.)
우리는 DMM을 사용하여 전류를 측정함에 있어서 큰 오차율이 발생할 수 있음을 인지하고, Drain 쪽에 1kΩ 저항을 단 후, 그 저항에 걸리는 전압을 측정하였다. 이후 그 전압을 저항으로 나누면 자연스레 I_D를 측정할 수 있다.
V_GS (V) R양단 전압 (mV)I_D (mA)
10.0022.03E-06
1.10.0033.05E-06
1.20.0077.12E-06
1.30.0222.24E-05
1.40.0858.65E-05
1.50.3393.45E-04
1.61.331.35E-03
1.75.115.20E-03
1.8191.93E-02
1.968.56.97E-02
2219.310.223
2.1619.70.630
2.215281.55
2.33212.33.27
2.44824.14.91
2.549255.01
2.64951.55.04
2.74964.45.05
2.84971.55.06
2.94976.35.06

출처 : 해피캠퍼스