목차
1. 제목
2. 실험절차
3. 실험에 대한 이론
본문내용
1. 제목
– 공통 소오스 증폭기
2. 실험 절차
<공통 소오스 증폭기>
1.실험회로 1에서 VDD값을 12V, Vsig값을 0V, VGG값을 4V로 두고 RGG저항 값이 2kΩ인 경우 V0의 DC 값이 6V가 되는 RD의 값을 결정하시오. 이 경우 MOSFET 각각에 흐르는 전류와 전압을 구하고 어떤 영역에서 동작하는지 확인하시오.
2.Vsig값을 0V, VGG값을 0V부터 12V까지 2V 간격으로 변화시키면서 V0의 DC 전압을 측정하여 아래의 표에 기록하고, 입력-출력(VGG-V0) 전달 특성 곡선을 아래의 그림에 그리시오.
3.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 gm값, 출력 저항 r0를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 공통 소오스 증폭기의 이론적인 전압 이득을 구하시오.
4.전압 이득이 최소 10V/V 이상 나오는지 실험하기 위해서 입력에 10kHz의 0.01VP-P 정현파의 입력 전압을 인가한다. 이때 공통 소오스 증폭기의 입력- 출력 전압의 크기를 표에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 Vsig, 입력 전압(MOSFET 게이트 전형vgs), 출력 전압(MOSFET의 드레인 전압 vDS)의 파형을 캡처하여 [그림 9-13]과 같은 형태로 결과 보고서에 기록하시오.
출처 : 해피캠퍼스
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