목차
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
본문내용
목적
MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다.
2. 이론적 배경
2.1 동작 원리
n 채널 MOSFET (metal oxide semiconductor)의 구조는 그림 6-1과 같다.
그림 6-1. n 채널 MOSFET의 구조 및 기호.
게이트에 문턱 전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 기판의 자유 전자들이 위로 모여채널을 형성하고 이 때 드레인과 소스 사이에 전압을 걸면 채널 내의 자유 전자들이 소스에서 드레인 방향으로 이동하여 드레인에서 소스 방향으로 전류가 흐른다. 게이트에인가되는 전압을 변화시키면 채널 폭이 변화하고 이에 따라 드레인에서 소스 방향으로 흐르는 전류가 변화한다.
2.2 동작 영역에 따른 드레인 전류
드레인 전류는 게이트-드레인 전압과 드레인-소스 전압에 의하여 제어되며 동작 영역에 따라 다음 식으로 표현된다. (채널 길이 변조 효과는 무시한다.)
1) 차단 영역
2) 트라이오드 영역
3) 포화 영역
2.3 소스 공통 증폭기
소스 공통 증폭기는 그림 6-2와 같이 입력 신호는 게이트에 들어가고 출력 신호는 드레인에서 얻는다. 소스 공통 증폭기는 일반적으로 게이트 공통이나 드레인 공통 증폭기에 비해 널리 사용된다. MOSFET 소자는 바이폴라 트랜지스터에 비해 게이트 전류가 0이고 소신호 등가 회로에서 에 해당하여 회로 해석이 간단해진다.
그림 6-2는 소스 공통 증폭기의 기본 회로이다. 소스 공통 회로가 증폭기로 동작하려면 MOSFET가 포화 영역에서 동작해야 한다.
출처 : 해피캠퍼스
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