중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정

목차

없음

본문내용

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
(A) Data Sheet를 이용하여 V_T, k_n을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) k_n을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 k_n을 이용하여 V_ov=0.6V인 경우, g_m의 값을 구하여라.

K_n=I_d/(V_GS-V_t)/V_(DS(ON))이고, V_t=V_(GS(th))=2.1V(typical value)이다. 또한 I_max=200mA인 영역에서 실험하므로 I_D=75mA인 값에서 V_(DS(ON))의 typical value는 0.14V이다.

출처 : 해피캠퍼스