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  • 전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 [실험 17]에서 구현한 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성에 대해 실현함으로써 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스들로 인해서 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 어느 주파수 대역까지 증폭기의 전압 이득이 유지되는지의 척도인 대역폭을 알아야 원하는 응용 범위에 사용할 수 있다. 그리고 증폭기의 전류나 면적이 제한되어 있을 때 증폭기 전압 이득과 대역폭의 곱은 일정한 관계가 성립하는데, 실험을 통해서 이러한 관계를 이해하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2n7000(NMOS)1개, 저항, 커패시터, FQP17P10(PMOS) 2개 (단, PSpice 모의실험은 FDC6322CP 사용)

    3 배경 이론
    [그림 18-1]은 [실험 17]에서 실험한 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 회로이다. 과 모두 포화 영역에서 동작을 해야 증폭기로서 사용할 수 있고, DM 출력 저항 가 부하의 역할을 하게 된다([그림 17-2] 참조).

    [그림 18-1] 회로의 저주파 대역에서의 전압 이득은 로 표현할 수 있다([그림 17-3] 참조).

    MOSFET의 고주파 대역에서의 소신호 등가회로는 [그림 18-2]와 같이 나타낼 수 있다. 게이트와 소오스 사이, 게이트와 드레인 사이에 각각 , 커패시턴스가 존재함을 알 수 있다.

    [그림 18-3]은 [그림 18-2]에 나타낸 MOSFET의 고주파 모델을 적용한 공통 소오스 증폭기의 소신호 등가회로이다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 16장 전류원 및 전류 거울 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 아날로그 증폭기에서 부하로써 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터, FQP17P10(PMOS)

    3 배경 이론
    MOSFET의 특성 구하기
    MOSFET은 이므로 와 를 알아야
    전압에 따른 전류를 구할 수 있다.
    먼저 를 구하기 위해서 [그림 16-11과 같이 회로를 구성한 후, 을 OV 부터 까지 변화시키면서 전류를 구한다.

    [그림 16-1]과 같이 회로를 구성하여 전류를 측정하면, 전류가 흐르기 시작하는 전압을 라고 할 수 있다. 를 구한 후에, [그림 16-21의 회로와 같이 를 에 두고 전류를 측정하면 를 구할 수 있다.

    전류원 능동 부하
    공통 소오스 증폭기는 입력 전압에 비례하는 소신호 전류가 흐르고, 이 전류가 부하 저항에 의해서 출력 전압으로 변환되는 구조이다. 공통 소오스 증폭기의 부하로 여러 가지 토폴로지가 사용될 수 있는데, 흔히 저항, 다이오드를 연결한 트랜지스터, 트라 이오드 영역에서 동작하는 트랜지스터, 전류원으로 동작하는 트랜지스터 등이 사용된 다. 저항 대신 트랜지스터를 사용하는 부하를 능동 부하라고도 부르는데, 그 중에서도 전류원으로 동작하는 트랜지스터가 가장 큰 출력 저항을 얻을 수 있으므로 가장 많이 사용되고 있다.

    [그림 16-31]은 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 개념도이다. 전류원 부하 1의 출력 저항 10가 부하의 역할을 한다.

    [그림 16-4)는 전류원 부하를 PMOS 트랜지스터 M2를 이용하여 구현한 공통 소오스 증폭기 회로이다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -[실험 11], [실험 12], [실험 13]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 단일단 증폭기들에 대해 살펴보았다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    [그림 15-1]은 다단 증폭기의 개념을 보여준다. 전압원 가 인가되면, 증폭기 1은 이 입력으로 받아서 증폭을 한 후 를 생성한다. 증폭기 2에서는 를 입력으로 받아서 출력을 생성한다.

    [그림 15-2]는 다단 증폭기의 등가회로이다. 증폭기 1의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항을 각각 , , 으로 정의하고, 증폭기 2의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항을 각각 , , 로 정의하였다.

    신호원 부터 출력 까지의 전압 이득을 식 (15.1)과 같이 계산할 수 있다.
    (15.1)
    식 (15.1)로부터, 신호원 가 증폭기 1의 입력 에 인가될 때는 와 에 의해서 전압분배됨을 알 수 있다. 전압 이득이 증가되기 위해서는 이 에 비해 그 값이 커야 한다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 14장 캐스코드 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다.

    2 실험 기자재 및 부품-
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    [그림 14-1]과 같이 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기와 공통 게이트 증폭기로 구성된다. 입력()은 의 게이트-소오스 전압()이고, 출력()은 의 드레인 전압()이다. 의 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압()에 비레하는 전류()가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 에 의해서 전압으로 변환되면서 증폭을 하게 된다.

    캐스코드 증폭기는 주로 전압 이득을 높이기 위해서 사용되는데, 전압 이득을 구하기 위해 먼저 [그림 14-2]와 같은 일반적인 증폭기의 등가회로를 이용할 수 있다. 입력 전압()에 비례하는 전류 이 흐르고, 이 전류가 출력 저항 에 의해 출력 전압으로 변환되므로, 전압 이득()은 식 (14.1)과 같이 구할 수 있다.
    (14.1)
    식 (14.1)에서 은 유효 트랜스컨덕턴스effective transconductance이고, [그림 14-3]과 같이 출력을 접지시켰을 때 증폭기 출력 전류와 입력 전압의 비로 정의된다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -[실험 11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품-
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    공통 게이트 증폭기는 [그림 13-11과 같이 입력은 소오스 단자에 인가하고, 출력은 드레인 단 자에서 감지하고, 게이트 단자는 공통인 구조를 취하고 있다.

    [그림 13-2(a)]와 같은 공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 [그림 13-2(b)]와 같은 소 신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있다.

    공통 게이트 증폭기의 전압 이득은 식 (13.1)의 형태로 표현할 수 있으며, 크기는 소 오스 축퇴 저항이 있는 공통 소오스 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다.
    (13.1)
    공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 [그림 13-3)과 같이 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있다.

    채널길이 변조 효과를 무시하면, 공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스는 식 (13.2)와 같이 구할 수 있으며, 공통 소오스 증폭기에 비해서 매우 작음을 알 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -[실험 11]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기를 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중의 하나인 소오스 팔로워에 대한 실험이다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품-
    DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    [그림 12-11]과 같이 소오스 팔로워 회로에서 입력은 게이트 단자에 인가되고, 출력은 소오스 단자에서 감지된다. 드레인 단자가 공통이므로, 공용 드레인 증폭기라고 할 수 있다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 소오스 팔로워’라는 용어를 더 많이 사용한다. 또한, 출력 신호의 DC 레벨이 입력 신호의 DC 레벨에서 Vas만큼 떨어진 전압이 나오기 때문에, 레벨 시프터로서도 동작할 수 있다.
    [그림 12-2]는 저항 부하가 있는 소오스 팔로워의 전압 이득을 구하기 위한 소신호 등가회로다.

    [그림 12-2]는 저항 부하가 있는 소오스 팔로워의 전압 이득을 구하기 위한 소신호 등가회로이다.

    식 (12.1)과 같이 소오스 팔로워의 전압 이득은 양의 값을 가지고, 그 값은 1에 가까움을 알 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    -DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터

    3 배경 이론
    [그림 11-1]과 같은 기본적인 공통 소오스 증폭기에서 입력()은 게이트-소오스 전압()이고, 출력()은 드레인-소오스 전압()이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다.

    [그림 11-2]는 공통 소오스 증폭기의 전압 전달 특성을 나타낸다. 출력 전압은 식(11.1)과 같이 표현할 수 있으며, 전압에 따라서 MOSFET의 동작 영역을 크게 세가지로 나눌 수 있다.

    (11.1)

    ① 차단 영역 : 전압이 X와 A점 사이일 경우에는 MOSFET이 차단 영역에서 동작하며, 드레인 전류가 흐르지 않는다().
    ② 포화 영역 : 전압이 A와 B점 사이일 경우에는 MOSFET이 포화 영역에서 동작하며, 드레인 전류 및 출력 전압은 식 (11.2), 식 (11.3)과 같이 표현할 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 공무국외출장 결과보고서(CES,라스베가스,2023.1.3~1.10)

    목차

    Ⅰ. 출장개요
    Ⅱ. 주요 방문일정
    Ⅲ. 활동내용
    IV. 총평 및 시사점

    본문내용

    Ⅰ. 출장개요
    1. 방문목적
    1) 미국 소비자 기술협회(CTA)가 주관하는 2023 CES(국제전자제품박람회)에서 세계적 혁신기술 및 제품, 글로벌 시장 동향을 파악하여 OOO기업 및 OOO기업 등과 공유 하고자 함
    2) 현지 참여기업, 관계기관과의 미팅을 통한 본원 소개 및 벤치마킹 사례 등 관련 정보를 수집하고 협력관계 구축

    2. 관련근거
    1) ‘혁신기술 및 글로벌 시장동향 파악을 위한 공무국외여행 계획(안)’

    3. 방문기간: 2023.1.3.(화) ~ 2023.1.10.(화) (6박 8일)

    4. 방문국(방문기관): 미국(CES; Consumer Technology Association 행사장* 일원)
    *행사장: Las Vegas Convention and World Trade Center, Venetian Expo

    <중략>

    Ⅲ. 활동내용
    □ CES 2023 Overview
    ○ CES(Consumer Electronics Show) 소개
    – 1967년 개최이래 매년 1월 네바다 라스베가스에서 개최되는 일반 대중에게 공개되지 않는 세계 최대의 전자제품 박람회
    – 독일 IFA, 스페인 MWC와 더불어 ‘세계 3대 IT 전시회’
    – 우수한 스타트업부터 Microsoft, Intel, Sony 등 IT 업계를 대표하는 기업들이 함께하며 최신의 기술 프리뷰가 쏟아져 첨단 IT 기술의 동향을 한눈에 볼 수 있는 최고의 기회를 제공함
    – 팬데믹 발생 이후 최대 규모로 진행(코로나 이전 대비 규모70~80% 회복 수준)
    · 전시장 18.6만m2, 전세계 174국, 2,400개 기업 참가, 방문객 12만명
    · Fortune Global 500대기업 중 323개 기업 참여, 국내 주요기업으로는 삼성, SK, LG, 롯데, 현대중공업 그룹 등 참여

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 24장 연산 증폭기 응용 회로 2 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 실험 절차 및 예비 값
    6 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전압 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다.

    2 실험 기자재 및 부품
    -DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 연산 증폭기(LM741), 저항

    3 배경 이론
    [그림 24-11은 복소수 임피던스를 이용한 피드백 회로이다. 입력과 출력 사이의 전달 함수는 식 (24.1)과 같이 Z,과 22의 비에 의해서 결정된다.

    (24.1)
    [그림 24-21는 적분기 회로이다. [그림 24-1]에서 22 = R1, 2, = 1/SCj인 경우에 해당 되므로, 주파수 축에서는 식 (24.2)가 성립하고, 시간 축에서는 식 (24.3)이 성립한다.

    (24.2)
    (24.3)

    식 (24.2)를 주파수 축에서 그리면, [그림 24-31과 같이 저주파에서 통과하고 주파수 가 높아질수록 감쇄되는 적분기의 특성을 볼 수 있다.

    [그림 24-4)는 미분기 회로이다. [그림 24-11에서 22 = 1/sC1, 2 = 81인 경우에 해당 되므로, 주파수 축에서는 식 (24.4)가 성립하고, 시간 축에서는 식 (24.5)가 성립한다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • 전자공학실험 17장 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서

    목차

    1 실험 개요
    2 실험 기자재 및 부품
    3 배경 이론
    4 실험 회로
    5 예비 보고 사항

    본문내용

    1 실험 개요
    -이 실험에서는 [실험 16]에서 수행한 ‘정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)가 있는 공통 소오스 증폭기(common source amplifier) 회로’를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다.

    2 실험 기자재 및 부품
    DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2n7000(NMOS)1개, 저항, 커패시터, FQP17P10(PMOS) 2개 (단, PSpice 모의실험은 FDC6322CP 사용)

    3 배경 이론
    [그림 17-1]은 전류원 부하를 PMOS 트랜지스터 를 이용하여 구현한 공통 소오스 증폭기 회로이다.
    [그림 17-2]는 [그림 17-1]과 같은 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구하기 위한 부하선 해석법을 나타낸 그림이다. 입력에 따라서 에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, [그림 17-3]과 같은 전달 특성 곡선을 구할 수 있다.

    [그림 17-3]의 영역 Ⅲ에서 과 모두 포화 영역에서 동작을 하고, 증폭기로서 사용할 수 있다. [그림 17-1] 회로의 저주 K 대역에서의 전압 이득을 구하기 위하 소신호 등가회로를 그리면 [그림 17-4]와 같다. [그림 17-4]의 소신호 등가회로를 이용하면, 저주파 전압 이득은 로 표현할 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스