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  • 성악전공실기 연습일지

    목차

    1. 1회 연습일지
    2. 2회 연습일지
    3. 3회 연습일지

    본문내용

    일시 : 2023년 4월 9일 일요일 15시 00분 60분
    곡명 : Lungi gal caro bene

    ▶ 근육이완 스트레칭
    – 노래할 때 무의식적으로 힘이 들어가는 것을 방지하기 위해 미리 근육 이완시키는 온몸 스트레칭(팔다리, 허리, 목 , 어깨)실시

    ▶ 얼굴근육 운동
    – 잘 쓰지 않는 얼굴 근육을 연습전에 미리 움직여 줌으로써 노래 할 때 어색한 얼굴모양이나 표정으로부터 자유로울수 있도록 실시

    ▶ 호흡유지 연습
    – 노래 부를 때 가장 문제가 되는 호흡 문제 해결을 위해 노래연습 전 균형적인 호흡의 날숨을 위해 풍선에서 바람빠지는 것처럼 큰 들숨 후 푸~~~~~~~~~~~~~~~ 길게 호흡을 조금씩 내뿜기 (2~3분간)

    ▶ 발성 연습
    – 발성 MR 에 맞춰 아에이오우~~~
    – 된소리 발음에 유의하고 입안이 열리게
    – 발음 때문에 입안의 공간이 좁아지지 않게
    – 모음 발음시 혀가 말리며 소리를 먹는(밖으로 밀어내야함)소리 내는거 주의

    * 발성연습에도 불구 공명이 잘 이루어지는 것 같지 않을 시 공명을 위해 머리를 열어주는 발성연습 ‘위위위~~ ’등…실시

    출처 : 해피캠퍼스

  • 고전적 조건형성 및 조작적 조건형성 관련 실험 요약 / 조건형성 원리를 교육분야에 적용할 수 있는 방법에 대한 고찰

    목차

    1. 서론: 고전적 조건형성, 조작적 조건형성과 관련된 실험 3개 제시 및 실험목적, 대상, 실험내용 요약
    ㄴ1-1. 고전적 조건형성의 예1. 파블로브식 조건형성 실험
    ㄴ1-2. 조작적 조건형성의 예1. 손다이크의 문제상자 실험
    ㄴ1-3. 조작적 조건형성의 예2. 스키너의 쥐 먹이통 실험

    2. 본론: 위에서 제시한 3개 실험의 독립변수 종속변수 연구결과 해석

    3. 결론 : 요약한 실험 3개를 학습심리학의 이론과 연결
    ㄴ3-1. 조건형성 원리를 교육분야에 적용할 수 있는 방법에 대한 고찰

    본문내용

    서론 : 고전적 조건형성, 조작적 조건형성과 관련된 실험 3개 제시 및 실험목적, 대상, 실험내용 요약
    고전적 조건형성과 조작적 조건형성에 대한 개념을 설명하기 전, 파블로브식 조건형성 실험, 손다이크의 문제상자 실험, 스키너의 쥐 먹이통 실험을 통해 각 조건 형성의 예시를 먼저 제시하겠습니다.

    고전적 조건형성의 예1. 파블로브식 조건형성 실험
    ● 실험목적: 파블로브는 이 실험을 통해 ‘본능적으로 반사 반응을 일으키지 않는 자극이 어떻게 반사 반응을 일으키게 되는가?’를 설명하고자 했습니다.
    ● 실험대상: 이 실험의 대상은 개입니다.
    ●실험내용: 이 실험에선 아래와 같은 세 단계를 통해 무조건 자극(US)과 조건 자극(CS) 사이의 연결을 형성했습니다.
    ○Step1: 개에게 음식을 줬을 때 본능적으로 침이 흐르는 것을 확인합니다. 이때 음식은 무조건자극(US)이며 음식을 보고 침이 흐르는 것은 무조건 반사반응(UR)입니다.
    ○Step2: 이후 개에게 음식 그리고 음식과는 전혀 상관없는 종소리를 함께 제시합니다. 이때에도 개는 여전히 음식을 보고 침을 흘리는 것을 볼 수 있습니다. 여기서 종소리는 조건자극(CS)이 됩니다.

    <중 략>

    본론 : 위에서 제시한 3개 실험의 독립변수 종속변수 연구결과 해석
    위에서 제시한 예에서 알 수 있듯 <고전적 조건형성>과 <조작적 조건형성>은 동물의 행동 형성과 강화를 설명하기 위한 두 가지 주요 개념입니다. 실험을 통해 추론 할 수 있는 고전적 조건형성과 조작적 조건형성에 대한 개념을 아래에 다시 정리해 보겠습니다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_예비레포트

    목차

    [1] 실험 목적
    [2] 실험 이론
    [3] 실험 소자 특성
    [4] 실험 방법
    [5] 시뮬레이션 결과
    [6] 확인 질문

    본문내용

    [1] 실험 목적
    – Common Drain 회로를 구성하여 Gate 단자에 Small Signal Input을 인가하여 Drain 단자의 출력 파형을 이론적 및 실험적으로 이해한다.

    [2] 실험 이론
    Common Drain 회로는 입력 신호가 Gate에 인가되고 Source에서 출력 신호가 나오도록 구성된다. Drain이 접지되어 입력과 출력에 공통 단자의 역할을 하므로 Common Drain 증폭기라 한다.
    [그림 1]은 각각 Common Drain 회로와 T-Model로 변환된 회로이다. DC Analysis를 통해     를 얻을 수 있고 이를 T-Model 해석에 이용하면 Gain은 다음과 같다.
      ≅   ,  ≅      ≅ 
    따라서 Common Drian 회로는 Gain이 1인 비반전 회로가 되며 Source follower라 부르기로 한다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_결과레포트

    목차

    1. 실험 회로도
    2. 실험 장비 및 부품
    3. 실험 결과
    4. 결론

    본문내용

    3. 고찰
    위 실험은 Common Drain 회로를 구성하여 Gate 단자에 Small Signal Input을 인가하여 Drain 단자의 출력 파형을 이론적 및 실험적으로 이해하기 위해 진행되었다. Small Signal Circuit로 실험 회로도를 분석하면,
        ×  Ω  ×   Ω
         Ω   ×   Ω Ω
    ∴      Ω Ω≒ 
    Gain이 1임을 확인할 수 있다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • MOSFET 실험 2-Single Stage Amplifier 1_결과레포트

    목차

    1. 실험 회로도
    2. 실험 장비 및 부품
    3. 실험 결과
    4. 결론

    본문내용

    3. 고찰
    위 실험은 Common Source Amplifier와 Common Source Amplifier with  회로의 동작과 두 회로의 차이점을 이해하기 위해 진행되었다. Source가 접지에 연결되어 있을 경우에는 Gain이   이고, Source에 저항이 연결되어 있다면 Gain이      으로 저항이 연결되어 있지 않을 때보다 Gain의 절대적 크기가 작아진다. 실험 1을 통해서 Common Source Amplifier 회로의 Gain과 함께 을 구하고 실험 2에서 실험 1에서 구한 으로 Gain의 이론값과 실험에서 측정한 값을 비교해 보았다.
    실험 1에서 측정한 Parameter를 이용해 실험 2의 Gain을 계산해 본 결과,  로 확인할 수 있었고 실험을 통해 측정한 Gain은  로 측정되었다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • MOSFET 실험 2-Single Stage Amplifier 1_예비레포트

    목차

    [1] 실험 목적
    [2] 실험 이론
    [3] 실험 소자 특성
    [4] 실험 방법
    [5] 시뮬레이션 결과

    본문내용

    [1] 실험 목적
    – Common Source Amplifier와 Common Source Amplifier with  회로의 동작과 두 회로의 차이점을 이해하고 실험을 통해 확인한다.

    [2] 실험 이론
    [회로 0-a] [회로 0-b]

    MOSFET의 전압 전류 특성을 이용하여 증폭기를 구성할 수 있다. [회로 0-a]는 Common Source Amplifier이다. MOSFET의 Gate에 small signal input이 들어왔을 때 Gate 전압의 변화에 따라 Drain 전류는  만큼 변화한다. 이 증폭된 전류는   에서 본 등가저항인   에 곱해져 출력에 나타나게 된다. 전압이득은 수식으로 계산하면 다음과 같다.
            
    Gate 전압의 증가에 따라 출력전압은 감소하므로 전압이득은 음수가 된다.  은 출력단에서 본 등가저항으로 수식으로 나타내면     이다. 이상적인 MOSFET의 경우 가 무한대이기 때문에    이며 전압이득은   가 된다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • MOSFET 실험 1-Large Signal Analysis 1_결과레포트

    목차

    1. 실험 회로도
    2. 실험 장비 및 부품
    3. 실험 결과
    4. 결론

    본문내용

    2. 실험 결과
    1) 실험 1-a
    [그림 5]와 같이 NMOSFET의    특성 실험에서    그래프 개형은 시뮬레이션상에서 exponential function 형태의 개형으로 나타났다. 이를 실험값과 함께 비교했을 때 시뮬레이션과 거의 일치하는 정도의 값들로 exponential function 형태로 나온 것으로 보아 매우 성공적인 실험임을 알 수 있다.

    2) 실험 1-b
    [그림 6]과 같이 PMOSFET의    특성 실험에서    그래프 개형은 시뮬레이션상에서 일차함수 형태의 개형으로 나타났다. 이를 실험값과 함께 비교했을 때 실험값은 [그림 4]와 같이 exponential function 형태의 개형으로 나와 시뮬레이션 결과와 매우 다른 개형을 보였다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • BJT 3-BJT Amplifier_결과레포트

    목차

    1. 실험 회로도
    2. 실험 장비 및 부품
    3. 실험 결과
    4. 결론

    본문내용

    3. 고찰
    (1) Small Signal Parameters 분석
    위 실험은 BJT 단자의 전압에 따른 Common Emitter 회로의 출력을 이해하고 AC Signal을 인가했을 때 이론적으로 출력 파형을 예측하고 실험적으로 확인하기 위해 진행되었다.
    시뮬레이션과 실험에서 구한 Small Signal Parameters를 비교해보았을 때 모두 10% 이내의 오차율이 나타났다. 이를 통해 다소 성공적인 실험임을 알 수 있었고, 시뮬레이션과 실험에서 구한 값의 오차는 가변저항  을   이  가 되도록 정확히 맞추지 못한 탓이라고 본다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트

    목차

    [1] 실험 목적
    [2] 실험 이론
    [3] 실험 소자 특성
    [4] 실험 방법
    [5] 시뮬레이션 결과
    [6] 확인 질문

    본문내용

    [1] 실험 목적
    – BJT 단자의 전압에 따른 Common Emitter 회로의 출력을 이해한다.
    – AC signal을 인가했을 때 이론적으로 출력 파형을 예측하고 실험적으로 확인한다.

    [2] 실험 이론
    (1) Common Emitter
    Common Emitter 회로는 입력 신호가 base에 인가되고 collector에서 출력 신호가 나오도록 구성된다. Emitter가 접지되어 입력과 출력에 공통 단자의 역할을 하므로 공통 이미터(Common Emitter) 증폭기라 한다.

    [그림 1] Common Emitter 회로도

    Bipolar transistor는   전압에 따라 Active 영역에서의 collector 전류  가 결정된다. 이를 수식적으로 나타내면        이며, 따라서 small signal parameters인  ,  , 를 다음과 같이 도출해 낼 수 있다.

             ,    

    [그림 2]의 왼쪽의 회로를 -model로 변환한 것이 오른쪽의 회로이다. Small signal이 인가되었을 때 gain을 구하는 과정은 다음과 같다.

    출처 : 해피캠퍼스

  • BJT 2-Large Signal Analysis 2_예비레포트

    목차

    [1] 실험 목적
    [2] 실험 이론
    [3] 실험 소자 특성
    [4] 실험 방법
    [5] 시뮬레이션 결과
    [6] 확인 질문

    본문내용

    [1] 실험 목적
    – BJT 소자의    특성을 이해하고, 이를 실험적으로 확인해본다.
    – BJT 소자의 를 실험적으로 측정해본다.

    [2] 실험 이론
    (1) Early Effect (Base width modulation)
    BJT의 C-B 접합에서 Reverse bias의 크기가 증가함에 따라 C-B Depletion region width가 증가한다. 이는 Base 영역의 폭  가 감소하는 효과를 발생시킨다.  의 변화에 따라 Current gain  가 변화하고, 결과적으로 Collector 전류를 증가시킨다. C-B 접합의 Reverse bias 크기의 변화로 인해 Collector 전류가 변화하는 것은 B-E 접합의 Forward bias로 Collector 전류를 제어하는 트랜지스터의 이상적인 경우에서 벗어나게 한다. 원래의 Base 영역의 끝에서부터 변화된 Base 영역의 끝까지의 길이를  라 하면,
              
    이다. 따라서 변화된 Base 폭 ′ 는 ′      로 구해지고, 이를 이용하여 Gain 값을 다시 구해주면 된다.
    이에 대한 Early voltage  는 다음과 같이 정의한다.

    출처 : 해피캠퍼스